[19p-P11-1~31] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[19p-P11-15] Fabrication of F doped α-Ga₂O₃ thin films with low electrical resistivity

〇(M1)Shota Morimoto¹, Hiroki Komai¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:gallium oxide, doping, ultra-wide bandgap semiconductor

ミストCVDにより、α-Al₂O₃(sapphire)基板上にFをドープしたα-Ga₂O₃薄膜を成膜し、比抵抗値の測定を行ったことについて報告する。