16:00 〜 18:00
[19p-P11-15] Fドープによるα-Ga2O3薄膜の低抵抗化
キーワード:酸化ガリウム、ドーピング、超ワイドバンドギャップ半導体
ミストCVDにより、α-Al2O3(sapphire)基板上にFをドープしたα-Ga2O3薄膜を成膜し、比抵抗値の測定を行ったことについて報告する。
一般セッション(ポスター講演)
21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2018年3月19日(月) 16:00 〜 18:00 P11 (ベルサール高田馬場)
16:00 〜 18:00
キーワード:酸化ガリウム、ドーピング、超ワイドバンドギャップ半導体