[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-15] Fドープによるα-Ga₂O₃薄膜の低抵抗化

〇(M1)森本 尚太¹、駒井 宏基¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、ドーピング、超ワイドバンドギャップ半導体

ミストCVDにより、α-Al₂O₃(sapphire)基板上にFをドープしたα-Ga₂O₃薄膜を成膜し、比抵抗値の測定を行ったことについて報告する。