[19p-P11-1~31] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[19p-P11-17] Shock-induced structural phase transition on β-Ga₂O₃

〇Hiroaki Kishimura¹, Tetsuya Nango¹, Hitoshi Matsumoto¹ (1.National Defense Academy)

Keywords:Ga2O3, High Pressure, Shock compression

単斜晶β-Ga₂O₃では圧力印加によりコランダム構造α-Ga₂O₃に不可逆に相転移する。本研究では、圧力持続時間がごく短く、一軸圧縮である、衝撃圧縮法によりこのβ-α相転移の特徴を調べた。