[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-20] HVPE法で結晶成長したβ-Ga₂O₃ホモエピ膜の電気的評価

〇中野 由崇¹ (1.中部大工)

キーワード：酸化ガリウム、欠陥準位、ホモエピタキシャル

光容量過渡分光法を用いて、HVPE法で作製したβ-Ga₂O₃エピウエハの欠陥準位を定量評価した。正の光容量変化を有する5つの欠陥準位(Ec-1.75, 2.12, 2.78, 3.18, 3.87eV)と負の光容量変化を有する欠陥準位(Ev+3.71eV)が検出された。特に、急峻な光応答特性を示すEc-3.87eVの欠陥準位は転位などに関連した表面欠陥に起因していると思われる。