[19p-P11-1~31] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [19p-P11-25] Effect of PLD Deposition Conditions on Structure and properties of Room Temperature Grown Ni_0.5Fe_0.5O Epitaxial Thin Films

〇Yuki Ikeya¹, Yuki Fujimoto¹, Nobuo Tsuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Takamasa Usami¹, Tomoyasu Taniyama¹, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech. Materials, 2.TOSHIMA Manu., 3.KISTEC)

Keywords:Epitaxial Thin Film, Room Temperature Grown

本研究では、Ni-Fe二元系酸化物エピタキシャル薄膜における物性制御を目的として、特にNi_0.5Fe_0.5O薄膜の室温合成と基板や堆積酸素圧などの成膜条件が、Feの価数や構造、および導電性と磁気特性に与える影響について検討した。