2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2018年3月19日(月) 16:00 〜 18:00 P11 (ベルサール高田馬場)

16:00 〜 18:00

[19p-P11-28] スパッタ成長ZnO単結晶層を用いたH2ガスセンサの開発

久米井 俊哉1、仲道 将太1、藤川 明日香1、小倉 康平1、信太 智貴1、水野 愛1、安藤 毅1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

キーワード:ZnO層、スパッタ、H2ガスセンサ

本研究では超高真空高周波マグネトロンスパッタ法を用いてZnO単結晶層の成長を行った.ガスセンサ用の材料としてこの単結晶層を用いることで従来のガスセンサと比較して高感度な検出が期待できる.今回はH2ガスセンサを作製しその感度特性について検討を行った.