[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-30] ミストCVD法における金属化合物と反応場雰囲気の影響

〇(M1)坂本 雅仁¹、川原村 敏幸^1,2 (1.高知工大院シス工、2.高知工大総研)

キーワード：ミストCVD法、熱分析、TG-DTA

大気圧下で機能性薄膜を得る手法の一つにミストCVD法がある。この方法では成膜することができない金属化合物が存在する。その原因を解明するために金属化合物と水蒸気の熱分解反応を観察した。測定装置としてTG-DTA装置を用いた。