[19p-P11-1~31] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[19p-P11-7] Fabrication of Double Schottky Photodetector Using a-Ga₂O₃ Film

〇Kenichiro Rikitake¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹ (1.Kogakuin Univ.)

Keywords:Photodetector, Gallium Oxide

本研究では，Ga₂O₃の中でもバンドギャップの最も広いa-Ga₂O₃を用いたダブルショットキー型光検出器の製作を行ったので報告する．