[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-13] ウェットプロセスによる酸化タンタル薄膜の作製と抵抗変化型メモリへの応用

〇東 正挙¹、西郷 太輔¹、番 貴彦¹、山本 伸一¹ (1.龍大理工)

キーワード：抵抗変化メモリ