Epitaxial growth of highly strained RuO<sub>2</sub> thin film by self-buffering method

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年3月19日(月) 13:30 〜 15:30 P5 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

〇(M2)Zainab Fatima¹、Daichi Oka¹、Tomoteru Fukumura^1,2,3 (1.Tohoku Univ.、2.WPI-AIMR、3.CSRN)

キーワード：rutile RuO2, Epitaxial growth, Lattice strain