[19p-P5-1~39] 6.3 Oxide electronics

[19p-P5-25] The growth of ASnO₃ (A=Sr,Ba) films by sputtering and the electrical properties

〇Iduru Kanagawa¹, Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:transparent conductive oxide, tin oxide, sputtering method

近年、新しいワイドバンドギャップ半導体としてASnO₃ (A = Ca, Sr, Ba)が注目され、透明導電膜やFETチャネルとしての応用が期待されている。PLD法やMBE法を用いて薄膜を作製している報告が多いことから、本研究では大面積製膜が可能なrfマグネトロンスパッタリング法を採用してASnO₃(A=Sr, Ba)薄膜を作製し、その結晶性および電気特性の評価を行った。