[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-25] スパッタ法によるASnO₃(A=Sr,Ba)薄膜の作製と電気特性評価

〇金川 いづる¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪府立工)

キーワード：透明酸化物導電体、錫酸化物、スパッタ法

近年、新しいワイドバンドギャップ半導体としてASnO₃ (A = Ca, Sr, Ba)が注目され、透明導電膜やFETチャネルとしての応用が期待されている。PLD法やMBE法を用いて薄膜を作製している報告が多いことから、本研究では大面積製膜が可能なrfマグネトロンスパッタリング法を採用してASnO₃(A=Sr, Ba)薄膜を作製し、その結晶性および電気特性の評価を行った。