[19p-P5-1~39] 6.3 Oxide electronics

[19p-P5-36] Demonstration of operation of IGZO transistor with solid-state-electric double layer as a gate

〇(M1)Yoshitaka Watanabe¹, Asano Tetsuya¹, Fujii Mami¹, Juan Paolo Bermundo¹, Ishikawa Yasuaki¹, Uraoka Yukiharu¹, Adachi Hedeaki¹ (1.NAIST)

Keywords:Electric Double Layer Transistor, Solid State Electrolyte, Pulsed Laser Deposition

近年電気二重層(EDL)を利用した電子デバイスの研究はますます盛んになっており、中でも電気二重層トランジスタ(EDLT)はゲート絶縁膜をイオン伝導体に置換したもので、界面にEDLを発生させることで高密度な電荷の蓄積が可能であり、省電力なTFTの実現が期待されている。本研究では、a-IGZOトランジスタの絶縁膜にペロブスカイト型酸化物Liイオン伝導体を用いた全固体EDLTを作製し、その構造解析とトランジスタ特性について検証を行った。