[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-36] 全固体電気二重層をゲートとしたa-IGZOトランジスタの作製と動作検証

〇(M1)渡邉 佳孝¹、浅野 哲也¹、藤井 茉美¹、Juan Paolo Bermundo¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹、足立 秀明¹ (1.奈良先端大)

キーワード：電気二重層トランジスタ、固体電解質、パルスレーザー堆積法

近年電気二重層(EDL)を利用した電子デバイスの研究はますます盛んになっており、中でも電気二重層トランジスタ(EDLT)はゲート絶縁膜をイオン伝導体に置換したもので、界面にEDLを発生させることで高密度な電荷の蓄積が可能であり、省電力なTFTの実現が期待されている。本研究では、a-IGZOトランジスタの絶縁膜にペロブスカイト型酸化物Liイオン伝導体を用いた全固体EDLTを作製し、その構造解析とトランジスタ特性について検証を行った。