2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年3月19日(月) 13:30 〜 15:30 P5 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-6] YSZ基板上に作製したVO2薄膜の金属‐絶縁体転移現象の観測

森田 巧1、丹野 友博1、箕原 誠人2、堀場 弘司2、組頭 広志2、〇樋口 透1 (1.東理大理、2.高エネ研)

キーワード:VO2薄膜

格子長・価数を変えたVO2薄膜をYSZ基板上にスパッタ法にて作製し、金属-絶縁体転移の挙動を、結晶構造・電気特性だけでなく、電子構造の観点から明らかにした。b軸長を変えることで、転移温度は変化する。さらに、金属相への転移によりV3+価数は増加した。これは、構造転移に伴うV-O-V結合距離の変化に起因している。