[19p-P5-1~39] 6.3 Oxide electronics

[19p-P5-9] Impact of hole-doping on metal-insulator transition in β-pyrochlore-type CsW₂O₆

〇Takuto Soma¹, Kohei Yoshimatsu¹, Koji Horiba^2,3, Hiroshi Kumigashira^2,3, Akira Ohtomo^1,3 (1.Tokyo Tech., Dept. Chem. Sci. Eng., 2.KEK-PF, 3.MCES)

Keywords:Metal-insulator transition, Pyrochlore oxide, Carrier doping

βパイロクロア型CsW₂O₆は，唯一のパイロクロア型W酸化物であり，その大きなスピン軌道相互作用，磁気的なフラストレーション，Cs⁺イオンのラットリングなど多彩な相互作用に由来する創発的物性の発現が期待されている．実際に金属-絶縁体転移を示しその特異な機構が注目されているが，良質な試料が得られにくい問題があった．最近，我々は高品質な単結晶薄膜の合成に成功し，各種測定からCs⁺イオンのラットリングが関与した電荷不均化の機構を明らかにした．本研究では，Taの置換によりホールドープを試み電子状態に与える影響を検討した．