2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[19p-P6-1~17] 6.4 薄膜新材料

2018年3月19日(月) 13:30 〜 15:30 P6 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-3] SrTiO3基板上へのVO2薄膜のエピタキシャル成長

楠森 毅1、中尾 節男1 (1.産総研 中部)

キーワード:レーザー蒸着、酸化バナジウム、エピタキシー

酸化バナジウム(VO2)は室温付近で金属-絶縁体相転移を示し、電場・電荷誘起による転移も報告されたことから新たに注目を集めている。VO2の薄膜化はこれまでガラスやサファイア、酸化チタンの基板材料が使われてきた。しかし高い誘電率を持つチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)についてはその報告例はまだ少ない。そこでSrTiO3単結晶基板上にVO2薄膜のエピタキシャル成長を試みた。