[19p-P6-1~17] 6.4 Thin films and New materials

[19p-P6-8] Growth of graphene thin film directly at low temperature by microwave plasma CVD

〇Haruki Tsuchiya¹, Sudip Adhikari¹, Yasubayashi Mikio¹, Umeno Masayoshi¹ (1.Chubu Univ.)

Keywords:Directly growth, Graphene, Micro wave CVD

Chemical Vapor Deposition (CVD)法でグラフェンを作製する際、化学反応の触媒となる銅基板上に成長させるのが一般的であるが、本研究では、グラフェンの製法の中から低温で薄膜を成長できるマイクロ波CVD法を使い、ガラス基板上への直接成長を試みた。
実際成長した薄膜のラマンスペクトルの結果により、薄膜がグラフェンであることが確認できた。また、成長したグラフェン膜の透過率、シート抵抗を測定した結果、それぞれ75.45%＠550nm,4.608kΩ/sqが得られた。