[19p-P7-1~81] 2 Ionizing Radiation（Poster）

△ [19p-P7-78] Fabrication and radiation detection characteristics in thick film BGaN neutron solid state detector

〇Takayuki Maruyama¹, Ken Mochizuki¹, Hisaya nakagawa¹, shigeyoshi Usami², Yoshio Honda³, Hiroshi Amano^3,4, Kazunobu Kojima⁵, Shigefusa chichibu^3,5, Yoku Inoue¹, Toru Aoki⁶, Takayuki Nakano¹ (1.Shizuoka Univ., 2.Nagoya Univ., 3.IMass,Nagoya Univ., 4.Akasaki Reserch Center, 5.IMRAM, Tohoku Univ., 6.R.I.E Shizuoka Univ.)

Keywords:neutron detector, boron galium nitride, III-V-group nitride crystals

近年、ホームランドセキュリティや非破壊検査装置などの利用拡大により、中性子検出器の需要が拡大している。我々は、B原子の持つ大きな中性子捕獲断面積に着目し、BGaN中性子半導体検出器を提案し開発を行っている。BGaN中性子半導体検出器では、中性子捕獲率の向上に向けたBGaN有感層の厚膜化が重要な課題である。本研究では、結晶成長条件の最適化により厚膜BGaN結晶成長を実現し、放射線検出特性評価を行った。