[19p-P7-1~81] 2 放射線（ポスター）

△ [19p-P7-78] 厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価

〇丸山 貴之¹、望月 健¹、中川 央也¹、宇佐美 茂佳²、本田 善央³、天野 浩^3,4、小島 一信⁵、秩父 重英^3,5、井上 翼¹、青木 徹⁶、中野 貴之¹ (1.静大院、2.名大院工、3.名大IMaSS、4.赤崎リサーチセンター、5.東北大多元研、6.静大電研)

キーワード：中性子検出器、BGaN、Ⅲ-Ⅴ族窒化物結晶

近年、ホームランドセキュリティや非破壊検査装置などの利用拡大により、中性子検出器の需要が拡大している。我々は、B原子の持つ大きな中性子捕獲断面積に着目し、BGaN中性子半導体検出器を提案し開発を行っている。BGaN中性子半導体検出器では、中性子捕獲率の向上に向けたBGaN有感層の厚膜化が重要な課題である。本研究では、結晶成長条件の最適化により厚膜BGaN結晶成長を実現し、放射線検出特性評価を行った。