The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

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13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[19p-P9-1~20] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Mon. Mar 19, 2018 4:00 PM - 6:00 PM P9 (P)

4:00 PM - 6:00 PM

[19p-P9-14] Pr and Al Concentration Dependence of Afterglow Properties in CaTiO3:Pr,Al Crystal

〇(M1)Ayaka Igarashi1, Watabe Kazuma1, Nanai Yasushi2, Kamioka Hayato1 (1.Nihon Univ., 2.Aoyama Gakuin Univ.)

Keywords:red afterglow, single crystal, dielectric substance

CaTiO3:Pr3+赤色蛍光体は、残光現象とAlの共添加による発光強度の増大が報告されている。本研究では、PrとAlの濃度を同じ比率で変化させた単結晶を育成し、その残光現象の濃度依存性を報告する。CaTiO3:Pr, Al単結晶のPLEスペクトルにおいて、370 nm付近のPr3+とTi4+との電荷移動遷移の短波長側にあるディップの深さが、Pr, Al 濃度が0.2%の時に最大となった。Pr3+の直接励起帯(3H43P2)を励起したとき、残光減衰曲線はPr, Al濃度がやはり0.2%の時に最長であった。