[19p-P9-1~20] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[19p-P9-19] Temperature Dependence of Electron Transport Properties and Defects of InP/ZnSe/ZnS Quantum Dots Thin Film

〇Tsuyoshi Sato¹, Takeshi Fukuda¹, Junya Maki¹, Hironao Sasaki¹, Norihiko Kamata¹, Takeshi Yasuda² (1.Saitama Univ., 2.NIMS)

Keywords:quantum dot, impedance, InP

近年、コロイド半導体量子ドットは発光波長の制御性や優れた耐久性などの利点からQLED (Quantum-Dot Light-Emitting Diode) への応用研究が広く検討されている。しかし、半導体量子ドットの表面状態が薄膜中のキャリア輸送特性や欠陥量に及ぼす影響は分かっていない点が多い。本研究では、InP/ZnSe/ZnS量子ドットを用いたエレクトロンオンリーデバイスにおいて、外的温度に対する電子移動度や欠陥密度などの特性変化について報告する。