[19p-P9-1~20] 13.8 光物性・発光デバイス

[19p-P9-19] InP/ZnSe/ZnS量子ドット薄膜の電子輸送特性・欠陥の温度依存性

〇佐藤 豪¹、福田 武司¹、牧 純也¹、佐々木 宏尚¹、鎌田 憲彦¹、安田 剛² (1.埼玉大、2.物質・材料研究機構)

キーワード：量子ドット、インピーダンス、InP

近年、コロイド半導体量子ドットは発光波長の制御性や優れた耐久性などの利点からQLED (Quantum-Dot Light-Emitting Diode) への応用研究が広く検討されている。しかし、半導体量子ドットの表面状態が薄膜中のキャリア輸送特性や欠陥量に及ぼす影響は分かっていない点が多い。本研究では、InP/ZnSe/ZnS量子ドットを用いたエレクトロンオンリーデバイスにおいて、外的温度に対する電子移動度や欠陥密度などの特性変化について報告する。