[19p-P9-1~20] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[19p-P9-3] Photoluminescence properties of N-doped β-FeSi₂ films

〇Kensuke Akiyama^1,2, Ryo Takahashi¹, Yoshihisa Matsumoto¹, Hiroshi Funakubo² (1.Kanagawa Inst., 2.Tokyo Inst. Tech.)

Keywords:iron disilicide, photoluminescence

本発表では、有機金属気相成長(MOCVD)法で合成したβ-FeSi₂において、NをドーピングすることでPL発光の温度消光特性が改善され295KまでPL発光が観察されることを報告する。