2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[19p-P9-1~20] 13.8 光物性・発光デバイス

2018年3月19日(月) 16:00 〜 18:00 P9 (ベルサール高田馬場)

16:00 〜 18:00

[19p-P9-3] 窒素(N)ドーピングした鉄シリサイドのPL発光特性

秋山 賢輔1,2、高橋 亮1、松本 佳久1、舟窪 浩2 (1.神奈川産技総研、2.東京工業大学)

キーワード:鉄シリサイド、フォトルミネッセンス

本発表では、有機金属気相成長(MOCVD)法で合成したβ-FeSi2において、NをドーピングすることでPL発光の温度消光特性が改善され295KまでPL発光が観察されることを報告する。