[20a-B303-1~11] 7.2 電子ビーム応用

[20a-B303-2] 単層グラフェンを表面電極に用いたnc-Si弾道電子源の特性
－放出効率および出力電子エネルギー制御性の向上－

〇小島 明¹、須田 隆太郎¹、越田 信義¹ (1.農工大工)

キーワード：ナノシリコン、弾道電子、グラフェン

ナノシリコン(nc-Si)弾道電子エミッタの表面電極に単層グラフェンを用いることで、多層グラフェンや従来の金属薄膜の場合に比べ効率が大幅に向上し、エネルギー分散も著しく低減した。この効果はnc-Si層での電子の多重トンネリングが支配的になる低温においてより顕著になる。多重トンネルによりnc-Si層で生成された弾道電子のエネルギー制御性が、単層グラフェン膜の低損失透過性能によって明確に引き出された。