[20a-C102-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-C102-11] 分子線エピタキシー法によるZnSnO₃およびMgSnO₃の薄膜安定化

〇(M2)湊 博哉¹、藤原 宏平¹、塩貝 純一¹、熊本 明仁²、柴田 直哉²、塚﨑 敦¹ (1.東北大金研、2.東大院工総合研究機構)

キーワード：電界効果トランジスタ、LiNbO3、ワイドギャップ酸化物