[20a-C102-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-C102-2] 六方晶窒化ホウ素をゲート絶縁体として用いたVO₂ FETにおける高効率抵抗変調

〇(M1)安西 勇人¹、山本 真人¹、神吉 輝夫¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、松本 和彦¹、田中 秀和¹ (1.阪大産研、2.物材機構)

キーワード：強相関物質、ヘテロ構造