[20a-C102-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-C102-3] VO₂の金属－絶縁体転移を用いたシリコン導波路光スイッチ

〇渋谷 圭介¹、渥美 裕樹¹、吉田 知也¹、榊原 陽一¹、森 雅彦¹、澤 彰仁¹ (1.産総研)

キーワード：二酸化バナジウム、金属絶縁体転移、光スイッチ

VO₂は室温以上（約67 °C）で金属－絶縁体転移を示す物質である。転移温度近傍において赤外領域の光学定数が劇的に変化することから、光学デバイスへの応用が期待されている。しかしながら、VO₂の消衰係数は比較的大きいために、VO₂を光伝搬層として使用した場合には伝搬損失が大きくなるという課題がある。そこで本研究では、VO₂をシリコン導波路のクラッドとして使用することにより、上述の課題解決した光学デバイスの作製を試みた。