The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[20a-C103-1~11] 6.4 Thin films and New materials

Tue. Mar 20, 2018 9:00 AM - 12:00 PM C103 (52-103)

Akifumi Matsuda(Titech)

9:45 AM - 10:00 AM

[20a-C103-4] Growth of (011)-oriented VO2 films on Al2O3 (001) and structural transition through M2 phase

〇Kohei Matsuoka1, Kunio Okimura1 (1.Tokai Univ.)

Keywords:VO2, Al2O3

VO2は室温では単斜晶構造(M1)であり, 68℃付近でルチル構造(R)に構造相転移(SPT)することで絶縁体-金属転移が生じ, 抵抗値が4~5桁変化する. 本研究においてM1相の(011)配向面を有する大きな結晶粒が成長したAl2O3 (001)基板上VO2薄膜がM1相とR相の中間的な状態(M2)を経由するSPTを生じたことが考えられる. 発表ではVO2結晶成長とM2相の出現の関係を考察する.