2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[20a-C103-1~11] 6.4 薄膜新材料

2018年3月20日(火) 09:00 〜 12:00 C103 (52-103)

松田 晃史(東工大)

09:45 〜 10:00

[20a-C103-4] Al2O3 (001)基板上(011)配向VO2薄膜の成長とM2相を経由する構造相転移

松岡 耕平1、沖村 邦雄1 (1.東海大院工)

キーワード:二酸化バナジウム、サファイア

VO2は室温では単斜晶構造(M1)であり, 68℃付近でルチル構造(R)に構造相転移(SPT)することで絶縁体-金属転移が生じ, 抵抗値が4~5桁変化する. 本研究においてM1相の(011)配向面を有する大きな結晶粒が成長したAl2O3 (001)基板上VO2薄膜がM1相とR相の中間的な状態(M2)を経由するSPTを生じたことが考えられる. 発表ではVO2結晶成長とM2相の出現の関係を考察する.