[20a-C202-1~8] 17.3 層状物質

[20a-C202-6] スパッタの低パワー化によるMoS₂薄膜のキャリヤ濃度低減

〇坂本 拓朗¹、大橋 匠¹、松浦 賢太朗¹、宗田 伊理也¹、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、若林 整¹ (1.東工大工)

キーワード：二硫化モリブデン、スパッタリング

RFマグネトロンスパッタリング法により、SiO₂/Si基板上にMoS₂膜が層状に堆積できることが分かっている。電気的特性の向上に向けてスパッタ条件の検討を実施してきた。我々は基板とターゲットのダメージを抑えるため、低パワーでMoS₂スパッタリングを行っている。本研究では、MoS₂薄膜の電気的特性向上を目指し、低パワー化を検討したので報告する。