[20a-C204-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [20a-C204-7] The effect of intermittent hydrogen plasma treatment on bonding structure of amorphous carbon film grown by radical injection-PECVD

〇(DC)Hirotsugu Sugiura¹, Hiroki Kondo¹, Kenji Ishikawa¹, Takayoshi Tsutsumi¹, Keigo Takeda², Makoto Sekine¹, Masaru Hori³ (1.Nagoya Univ. Eng., 2.Meijo Univ., 3.Nagoya Univ. Inst. of Innovation for Future Society)

Keywords:amorphous carbon, PECVD

アモルファスカーボン(a-C)は電子物性・光学物性の多様性が高く、次世代デバイス材料として期待される。a-CのPECVDにおいて、水素原子及びイオンは膜から水素を抜く効果と付着してCH結合をつくる効果があると考えられ、水素プラズマによる処理を成膜とうまく組み合わせることで、より高精度な膜質制御が可能になると考えられる。本講演では、成膜と水素プラズマ処理を交互に行い、a-C膜へ及ぼす効果について調べたので報告する。