[20a-C204-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [20a-C204-7] ラジカル注入型プラズマ励起化学気相堆積法において間欠水素プラズマ処理がアモルファスカーボン膜の結合構造に及ぼす効果

〇(DC)杉浦 啓嗣¹、近藤 博基¹、石川 健治¹、堤 隆嘉¹、竹田 圭吾²、関根 誠¹、堀 勝³ (1.名大院工、2.名城大理工、3.名大未来社会創造機構)

キーワード：アモルファスカーボン、プラズマ励起化学気相堆積法

アモルファスカーボン(a-C)は電子物性・光学物性の多様性が高く、次世代デバイス材料として期待される。a-CのPECVDにおいて、水素原子及びイオンは膜から水素を抜く効果と付着してCH結合をつくる効果があると考えられ、水素プラズマによる処理を成膜とうまく組み合わせることで、より高精度な膜質制御が可能になると考えられる。本講演では、成膜と水素プラズマ処理を交互に行い、a-C膜へ及ぼす効果について調べたので報告する。