2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[20a-D103-1~11] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2018年3月20日(火) 09:00 〜 12:00 D103 (56-103)

黒木 伸一郎(広島大)

10:00 〜 10:15

[20a-D103-5] SiO2膜中の炭素関連欠陥の構造とその電子状態

松下 雄一郎1、押山 淳1 (1.東大院工)

キーワード:SiC、SiO2、欠陥

本研究では、密度汎関数理論に基づいた理論計算により、炭素関連欠陥構造の網羅的かつ第一原理的に絞り込みを行った。欠陥構造を決定した後、得られた欠陥構造それぞれに対し、電子準位を高精度に決定した。その結果、炭素関連欠陥は酸素の化学ポテンシャル・SiO2の密度に依存して、安定な形態が変わることを見出した。