[20a-D103-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-D103-5] SiO₂膜中の炭素関連欠陥の構造とその電子状態

〇松下 雄一郎¹、押山 淳¹ (1.東大院工)

キーワード：SiC、SiO2、欠陥

本研究では、密度汎関数理論に基づいた理論計算により、炭素関連欠陥構造の網羅的かつ第一原理的に絞り込みを行った。欠陥構造を決定した後、得られた欠陥構造それぞれに対し、電子準位を高精度に決定した。その結果、炭素関連欠陥は酸素の化学ポテンシャル・SiO₂の密度に依存して、安定な形態が変わることを見出した。