[20a-D103-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20a-D103-8] 低温局所DLTS法による伝導帯近傍の界面準位分布の可視化 (2)

〇阿部 貴之¹、山岸 裕史¹、長 康雄¹ (1.東北大通研)

キーワード：界面準位、SNDM、DLTS

SiO₂/SiC界面欠陥のうち伝導帯端近傍に高密度で分布する欠陥がMOSデバイス実用化の妨げになっている。界面準位密度分布を2次元的に評価可能な局所DLTS法を低温で行い、Si面、C面共により浅い準位が多く分布することを確認した。また、容量特性を評価可能なSNDM法を同時に行い、低温で2次元分布の相関が強くなること、及びSNDM像にも界面準位の影響が含まれることを考察した。