[20a-E201-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20a-E201-9] UV Detection Properties of NiO/β-Ga₂O₃ Heterojunction Photodiodes

〇Shinji Nakagomi¹, Hikaru Sasaki¹, Shinya Meguro¹, Yoshihiro Kokubun¹ (1.Ishinomaki Senshu Univ.)

Keywords:Ga2O3, NiO, photodiode

NiO/β-Ga₂O₃ヘテロ接合フォトダイオードの紫外線検出特性を評価した。UV照射強度の増加に伴って電流-電圧特性全体が逆方向電流側にシフトする変化を示した。分光感度特性では, β-Ga₂O₃側からの照射で290 nmに, NiO側からの照射で335 nmに最大感度をもつ。約150μs幅で照射したUV光パルスに追随して, 逆方向電流が応答することが確認できた。