[20a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-E202-1] GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率の関係(1)

〇浅井 栄大¹、小島 一信²、福田 浩一¹、秩父 重英² (1.産総研、2.東北大多元研)

キーワード：GaN、内部量子効率、キャリアの拡散

本研究ではGaNの内部量子効率(IQE)と少数キャリア濃度の不均一分布の関係を解析的な手法により調べる。まず少数キャリア濃度の分布について計算し、解析解がTCADシミュレーションの結果と良く一致する事を示す。更に、この解析的なキャリア分布を用いて、キャリアの拡散と光の自己吸収を考慮したIQEの解析的な式を検討する。