[20a-E202-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [20a-E202-9] Characterization of AlGaN / GaN heterostructure by in-situ X-ray diffraction

〇Kazuya Ishihara¹, Ryosuke Kanayama¹, Ryo Hirako¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:In-situ XRD, AlGaN

HEMT構造やGaN系のLEDのクラッド層に用いられるAlGaN/GaNヘテロ構造を高品質化することは、これらの素子の高効率、高輝度化に向けて必要不可欠である。本研究グループでは、その場観察X線回折測定の半値全幅の変化により、ミスフィット転位による緩和過程を報告してきた。本発表では、実験値とフィッティング関数の誤差を表すχ²パラメータを導入、CLやTEMの結果と比較を行い、より詳しい緩和過程の解析を行った。