[20a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20a-E202-9] その場観察X線回折測定を用いたAlGaN/GaNヘテロ構造評価

〇石原 和弥¹、金山 亮介¹、平子 涼¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤崎 勇^1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大)

キーワード：その場観察X線回折測定、窒化アルミニウムガリウム

HEMT構造やGaN系のLEDのクラッド層に用いられるAlGaN/GaNヘテロ構造を高品質化することは、これらの素子の高効率、高輝度化に向けて必要不可欠である。本研究グループでは、その場観察X線回折測定の半値全幅の変化により、ミスフィット転位による緩和過程を報告してきた。本発表では、実験値とフィッティング関数の誤差を表すχ²パラメータを導入、CLやTEMの結果と比較を行い、より詳しい緩和過程の解析を行った。