[20a-F210-1~6] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[20a-F210-4] 耐放射線性FEA撮像素子用CdTe/CdS光電変換膜へのガンマ線照射の影響

〇岡本 保¹、猪狩 朋也¹、福井 貴大¹、後藤 康仁²、佐藤 信浩²、秋吉 優史³、高木 郁二² (1.木更津高専、2.京大、3.大阪府大)

キーワード：II-VI族化合物半導体、CdTe、フィールドエミッタアレイ

我々は耐放射線性小型撮像素子としてCdTe光電変換膜を用いたFEA撮像素子を提案している。CdTe層厚が約2.2 μmの場合のCdS/CdTeフォトダイオードガンマ線照射下での電流電圧特性を調べたところ、逆バイアスによる感度の増加は観測されず、6 μm程度の場合に比べて感度は小さくなった。このことより、CdTe層の厚さを薄くすることでガンマ線吸収による電流を低減できることが確認できた。