[20a-F214-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [20a-F214-3] Structure Evaluation of Laterally Graded SiGe Wires for Thermoelectric Devices

〇Ryo Yokogawa^1,2, Shuichiro Hashimoto³, Kota Takahashi^2,4, Shunsuke Oba³, Motohiro Tomita^1,2,3, Masashi Kurosawa^4,5,6, Takanobu Watanabe³, Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.JSPS Res. Fellow, 3.Waseda Univ., 4.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ., 5.JST-PRESTO, 6.IAR, Nagoya Univ.)

Keywords:Raman spectroscopy, SiGe wire, EBSP

SiGeは合金効果により熱伝導率が著しく低下する事から熱電デバイスへの応用が期待される。熱電性能向上には大きなキャリア密度分布差を実現できる構造および材料が望まれ、我々は急速溶融成長組成傾斜SiGeワイヤに注目した。本研究ではラマン分光法およびEBSP法により組成傾斜SiGeワイヤの解析を行い、ワイヤおよび組成傾斜構造から誘起される歪等を評価した。​講演会当日では熱電特性に及ぼす影響を議論していく。