[20a-F214-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [20a-F214-3] 熱電デバイス用組成傾斜SiGeワイヤの構造評価

〇横川 凌^1,2、橋本 修一郎³、高橋 恒太^2,4、大場 俊輔³、富田 基裕^1,2,3、黒澤 昌志^4,5,6、渡邉 孝信³、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.学振特別研究員、3.早大理工、4.名大院工、5.JSTさきがけ、6.名大高等研究院)

キーワード：ラマン分光法、SiGeワイヤ、EBSP

SiGeは合金効果により熱伝導率が著しく低下する事から熱電デバイスへの応用が期待される。熱電性能向上には大きなキャリア密度分布差を実現できる構造および材料が望まれ、我々は急速溶融成長組成傾斜SiGeワイヤに注目した。本研究ではラマン分光法およびEBSP法により組成傾斜SiGeワイヤの解析を行い、ワイヤおよび組成傾斜構造から誘起される歪等を評価した。​講演会当日では熱電特性に及ぼす影響を議論していく。