[20a-G202-1~10] 12.5 有機太陽電池

[20a-G202-5] ペロブスカイト/Siタンデム型太陽電池に向けたテクスチャSi上へのCsPbI₃層の真空蒸着

〇(M1)浜田 啓太郎¹、米澤 叶祐²、山本 晃平²、當摩 哲也²、早瀬 修二³、大八木 伸⁴、山本 裕三⁴、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.金沢大、3.九工大、4.攝津製油)

キーワード：ペロブスカイト、タンデム、真空蒸着

ペロブスカイト/Siタンデム太陽電池は高効率太陽電池として期待されるが、従来の溶液塗布法では、反射防止テクスチャSi上にはペロブスカイト層のカバレージの良い製膜ができない。そこで、テクスチャSi上への真空蒸着によるCsPbI₃ペロブスカイト層の製膜を試みた。異なる添加剤を含む2種類のエッチング液を用いてSiウエハ上に形成したサイズの異なるテクスチャに対し、CsPbI₃ペロブスカイトを真空蒸着し、テクスチャ上に均一な膜厚のCsPbI₃層をカバレージ良く製膜できることを確認した。