[20a-G203-1~11] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[20a-G203-1] アモルファスGeカルコゲナイドへの銀の光拡散ー反応速度のカルコゲナイド膜厚依存性

〇坂口 佳史¹、朝岡 秀人²、Mitkova Maria³ (1.CROSS、2.原子力機構先端研、3.ボイジー州立大)

キーワード：アモルファス半導体、銀の光拡散

本講演では、Ag/ Ge₄₀S₆₀/ Si基板に光を照射したときの時分割中性子反射率測定の結果を報告する。特に、カルコゲナイド膜の厚みが150nmと200nmの２つの場合の結果を比較し、特異な反応速度のカルコゲナイド膜厚依存性について詳しく議論する。