[20a-G203-1~11] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[20a-G203-2] Cr₂Ge₂Te₆を用いた相変化メモリの動作特性

〇畑山 祥吾¹、須藤 祐司¹、安藤 大輔¹、小池 淳一¹ (1.東北大工)

キーワード：相変化材料、Cr-Ge-Te、アモルファス