[20a-G203-1~11] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [20a-G203-4] Ge-Sb-Te薄膜を用いた逓倍器の作成

〇近藤 諒佳¹、鹿倉 直樹¹、兼平 達也¹、川崎 繁男²、林 等¹、中岡 俊裕¹ (1.上智大理工、2.宇宙研)

キーワード：Ge-Sb-Te、RFデバイス

我々はGe-Sb-Te薄膜を用い、バイアス電圧無しの無給電で高調波を出力動作する逓倍器の作成に成功したので報告する。
作成した素子に-0.5Vから0.5Vのバイアス電圧を印加した際に、DC I-V特性は特徴的な非線形性を示し、バイアス電圧をかけずに100MHzで5 dBmのRF波を入力した際には、12次高調波(1.2GHz)の出力を確認することができた。またRF波の入力電力依存性を測定すると、8 dBmで2次と3次の高調波出力が入れ替わり、10 dBmで14次の高調波が確認できた。