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一般セッション(口頭講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[20a-G203-1~11] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2018年3月20日(火) 09:00 〜 11:45 G203 (63-203)

本間剛(長岡技科大)、後藤民浩(群馬大)

10:00 〜 10:15

△ [20a-G203-5] 励起波長依存型高感度紫外光電子分光法によるa-IGZO薄膜のギャップ内準位の直接観測

〇(M1)松崎厚志¹、佐藤友哉¹、東海林弘²、石井久夫^1,3,4 (1.千葉大院融合理工、2.出光興産、3.千葉大学先進、4.千葉大学MCRC)

キーワード：酸化物半導体、光電子分光法、a-IGZO