2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[20a-G204-1~8] 13.8 光物性・発光デバイス

2018年3月20日(火) 09:45 〜 11:45 G204 (63-204)

深田 晴己(金沢工大)

11:30 〜 11:45

[20a-G204-8] アモルファス Si 層を挿入した電界励起発光素子

雲地 翔洋1、柳原 邦俊1、三浦 登1 (1.明治大理工)

キーワード:電界励起発光

直流駆動の電界発光素子は、安定的に発光層に高電界を維持することが難しく、絶縁層を介してキャリヤを発光層に注入するため、素子の破壊につながりやすいという課題がある。本研究では、アモルファス Si 層を電界発光素子に挿入し、I-V特性、L-V特性を測定した。アモルファス Si 層を挿入することで、電流と輝度の立ち上がりが早くなった。また、電流の上昇が緩やかになり、安定的に発光が得られた。